文｜半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
延續(xù)上周走勢(shì)，現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR4、DDR5價(jià)格仍呈現(xiàn)全線下跌。
根據(jù)TrendForce最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM方面，現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR4、DDR5價(jià)格仍呈現(xiàn)全線下跌，且DDR4產(chǎn)品跌幅明顯較大；NAND Flash方面，現(xiàn)貨價(jià)格跌幅仍未有改變，詳情如下：
DRAM現(xiàn)貨價(jià)格：
延續(xù)上周走勢(shì)，現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR4、DDR5價(jià)格仍呈現(xiàn)全線下跌，其中DDR4跌幅明顯較大，加上模組廠庫存水位偏高，加上需求由DDR4轉(zhuǎn)至DDR5，DDR4價(jià)格仍有較大下跌空間，主流芯片現(xiàn)貨均價(jià)（DDR4 1Gx8 2666MT/s）由上周的1.843美元下跌至本周的1.840美元，跌幅0.16%。
NAND閃存現(xiàn)貨價(jià)格：
現(xiàn)貨價(jià)格跌勢(shì)仍未改變，現(xiàn)貨廠商在上半年脫手部分低價(jià)庫存后，也因后續(xù)補(bǔ)貨而消化漲價(jià)，導(dǎo)致平均庫存成本上升，而下半年現(xiàn)貨價(jià)格大幅下跌只會(huì)讓廠商損失更慘重，TrendForce預(yù)估此趨勢(shì)短期內(nèi)仍將持續(xù)。
近日，Edgewater Research下調(diào)了對(duì)NAND和DRAM的價(jià)格預(yù)測(cè)。Edgewater Research分析師認(rèn)為，原始設(shè)備制造商(OEM)和云服務(wù)提供商(CSP)的NAND需求預(yù)測(cè)繼續(xù)壓縮，與此同時(shí)，數(shù)據(jù)中心的NAND需求預(yù)計(jì)將在2025年保持疲軟，同比僅略有增長(zhǎng)。
分析師稱，供應(yīng)商正在敦促客戶簽署2025年的長(zhǎng)期協(xié)議，并在某些情況下提高了2025年長(zhǎng)期協(xié)議中的需求預(yù)測(cè)。供應(yīng)商還指出，他們?cè)敢庵С?025年的任何或所有需求。此外，對(duì)高帶寬內(nèi)存和eSSD短缺的擔(dān)憂似乎在很大程度上消失了。
分析師補(bǔ)充稱，所有領(lǐng)域的價(jià)格預(yù)測(cè)都再次下調(diào)，包括個(gè)人電腦(PC)、移動(dòng)設(shè)備和服務(wù)器，以及NAND和DRAM。PC和移動(dòng)設(shè)備OEM的再平衡目標(biāo)仍是在2025年第二季度完成，訂單將在2025年第二季度或下半年與實(shí)際需求增長(zhǎng)保持一致。
分析師表示，供應(yīng)鏈反饋表明，2025年供應(yīng)增長(zhǎng)有限和供應(yīng)緊張的預(yù)測(cè)與行業(yè)現(xiàn)實(shí)(至少到2025年上半年可能會(huì)出現(xiàn)供應(yīng)過剩和價(jià)格壓力)之間存在脫節(jié)。對(duì)2025年的定價(jià)和需求的預(yù)測(cè)正變得更加謹(jǐn)慎。分析師預(yù)計(jì)，未來幾個(gè)月的反饋將非常不穩(wěn)定，具體取決于企業(yè)需求;三星電子HBM的成功和/或轉(zhuǎn)向標(biāo)準(zhǔn)DRAM，以及關(guān)于NAND利用率降低的猜測(cè)。
分析師對(duì)美光科技的短期看法好壞參半，對(duì)其長(zhǎng)期看法則是積極的。分析師們補(bǔ)充說，行業(yè)反饋繼續(xù)變得更加謹(jǐn)慎，削弱了他們對(duì)2025年上半年美光科技的樂觀態(tài)度。分析師表示，美光科技仍有一些該公司特有的催化劑，可以推動(dòng)其業(yè)績(jī)跑贏大盤，包括HBM和eSSD的股價(jià)上漲。
分析師指出，對(duì)美光科技在這些市場(chǎng)的相對(duì)地位的反饋持續(xù)改善，預(yù)計(jì)未來兩到三個(gè)季度的平均售價(jià)和利潤(rùn)率將增長(zhǎng)。此外，長(zhǎng)期來看，分析師仍然認(rèn)為美光科技在技術(shù)轉(zhuǎn)型、產(chǎn)品組合(eSSD、HBM)和成本結(jié)構(gòu)/資產(chǎn)負(fù)債表方面處于更有利的地位。
不同于此前階段會(huì)出現(xiàn)的逆周期投資，在2023-2024年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)整體工廠建設(shè)情況也較為冷清，處于減產(chǎn)和產(chǎn)能恢復(fù)時(shí)期。走過盲目擴(kuò)張產(chǎn)能、以規(guī)模效應(yīng)夯實(shí)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的野蠻生長(zhǎng)階段，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)逐漸走向精細(xì)化、聚焦先進(jìn)技術(shù)和高價(jià)值產(chǎn)品等核心競(jìng)爭(zhēng)力，技術(shù)優(yōu)先、技術(shù)領(lǐng)先將成為主基調(diào)。因此，也可以看到在2025年及之后，各存儲(chǔ)原廠的投資擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)將放在更尖端技術(shù)領(lǐng)域。
三星電子NAND Flash主要生產(chǎn)基地位于韓國和中國西安，其DRAM生產(chǎn)基地位于韓國。其中三星電子在韓國平澤的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地為全球最大的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地，目前三星電子在平澤共建成有P1、P2、P3三座工廠，P4工廠預(yù)計(jì)將于今年年底完工，明年投產(chǎn)。據(jù)最新消息，三星電子已確定P4第一條生產(chǎn)線的投資方向，將同時(shí)量產(chǎn)NAND和DRAM。此外，P5工廠也正在建設(shè)中，不同于P1-P4各僅有四個(gè)潔凈室，P5是一座擁有八個(gè)潔凈室的大型晶圓廠，但P5的具體用途尚未確定，預(yù)測(cè)也將會(huì)是如P3/P4一樣的混合工廠。
除新建工廠產(chǎn)線外，三星電子還在針對(duì)舊產(chǎn)線改造，如計(jì)劃將P2工廠的DRAM生產(chǎn)線由生產(chǎn)1z DRAM改為1b DRAM或更尖端的DRAM產(chǎn)線。
同三星電子一樣，SK海力士（包括Solidigm）的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地主要分布在韓國和中國，其中NAND Flash生產(chǎn)基地位于韓國和中國大連，DRAM生產(chǎn)基地位于韓國和中國無錫。據(jù)悉，此前停止建設(shè)的位于韓國的M15X工廠已經(jīng)恢復(fù)建設(shè)，計(jì)劃于明年11月竣工并生產(chǎn)包括HBM在內(nèi)的DRAM產(chǎn)品。
SK海力士在今年下半年也宣布，將在未來5年內(nèi)投資103萬億韓元（約合747億美元），加強(qiáng)半導(dǎo)體事業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，計(jì)劃將約80%（約合595億美元）投資于HBM等AI相關(guān)領(lǐng)域。
美光的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地主要分布在新加坡、日本、中國臺(tái)灣還有美國，其中NAND Flash生產(chǎn)位于新加坡還有美國，DRAM生產(chǎn)位于中國臺(tái)灣、日本和美國。
據(jù)悉，美光在中國臺(tái)灣工廠將于2025年開始生產(chǎn)1 DRAM，日本廣島工廠將于2026年開始生產(chǎn)。而其在美國新建的工廠預(yù)計(jì)在2026-2029年期間投產(chǎn)，愛達(dá)荷州晶圓廠預(yù)計(jì)2026年9月投產(chǎn)DRAM，紐約廠則計(jì)劃2028年或之后上線。