機(jī)構(gòu)：2027年底DRAM預(yù)計(jì)將邁入個位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)

2月18日，TechInsights最新報(bào)告指出，2025年第一季度，市場上將首次推出D1c的一小部分產(chǎn)品，首先由SK海力士推出。D1c世代將在2026年和2027年占據(jù)主導(dǎo)地位，包括HBM4 DRAM應(yīng)用。未來AI和數(shù)據(jù)中心將需要更高的單個裸晶的內(nèi)存容量，例如32Gb、48Gb或64Gb芯片，但目前市場上主流仍是16Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，應(yīng)開發(fā)3D DRAM架構(gòu)，如4F2垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM單元或3D堆疊DRAM單元，并在10納米以下級別節(jié)點(diǎn)（個位數(shù)節(jié)點(diǎn)）實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要廠商，作為下一代DRAM縮放的候選方案。D1a和D1b是市場上的主流產(chǎn)品。到2027年底，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)DRAM將邁入個位數(shù)納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，如D0a，隨后將是0b和0c世代。